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        支架

        金屬有機物化學氣相沉積(簡稱MOCVD)是技術生長III-V族,II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法
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        產品描述
        參數

          金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)
          金屬有機物化學氣相沉積(簡稱MOCVD)是技術生長III-V族,II-VI族化合物及合金的薄層單晶的主要方法。用氫氣或氮氣作為載氣,通入液體中攜帶出蒸汽,與V族的氫化物(如NH3、PH3、AsH3)混合,通入反應室,在加熱的襯底表面發生反應,外延生長化合物晶體薄膜。
          LED的發光核心是一種稱為外延片(Epitaxial Slice)的復合材料,由于Mocvd技術在外延片上的成功運用,使得此種設備使用量迅速增加。
          由于MOCVD設備工作時工作溫度高于2000℃,鎢鉬也是該設備部分組件的首選材料。

        關鍵詞:
        支架
        mocvd
        設備
        外延
        沉積
        技術
        化合物
        金屬
        生長
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